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详细数据请看参考数据手册
- 型号： APT34F60BG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT34F60BG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT34F60BG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT34F60BG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT34F60BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT34F60BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT34F60BG是Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）生产的一款N沟道MOSFET，属于高压功率MOSFET产品系列。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的开关性能，适用于高效率、高可靠性的电力电子系统。 其典型应用场景包括： 1. 工业电源系统：用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器中，实现高效的电能转换，尤其在高电压输入环境下表现优异。 2. 电机驱动：广泛应用于工业电机控制、伺服驱动器和变频器中，作为主开关元件，支持快速开关和大电流处理能力，提升系统响应速度与能效。 3. 可再生能源系统：在太阳能逆变器和风能转换系统中，APT34F60BG可用于直流斩波或逆变环节，具备良好的热稳定性和耐压能力（600V），适应恶劣工作环境。 4. 高压脉冲应用：如激光电源、医疗设备中的高压模块等，因其具备优异的雪崩能量耐受能力和可靠性，适合承受瞬态高压冲击。 5. 不间断电源（UPS）和储能系统：在后备电源和储能逆变器中承担功率切换与调节功能，确保系统稳定运行。 该MOSFET采用TO-247封装，便于散热和集成，适合高功率密度设计。其坚固的结构设计和高质量制造工艺，使其在高温、高湿、强电磁干扰等严苛工业环境中仍能保持长期稳定工作，广泛服务于工业自动化、能源基础设施和高端电源设备领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 34A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/6954-apt34f60b-s-d-pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT34F60BG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS 8™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 165nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 功率-最大值 | 624W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A （Tc） |
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