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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB32N06LT,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB32N06LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB32N06LT,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHB32N06LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHB32N06LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PHB32N06LT,118 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要特点包括低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性,适用于中高功率的电子系统设计。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等,用于提高能效和减小系统损耗; 2. 电机控制:在电动车、电动工具或工业自动化设备中,作为H桥电路中的开关元件; 3. 负载开关:用于智能电源分配系统,实现对不同负载的快速通断控制; 4. 照明系统:如LED驱动器中作为开关元件,实现调光与节能; 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境; 6. 工业控制:用于PLC、伺服驱动器、变频器等工业设备中的功率切换。 该器件采用小型封装(如TSOP),适合空间受限的设计,同时具备良好的散热性能,可在较宽温度范围内稳定工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 34A D2PAKMOSFET TAPE13 MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 34 A |
| Id-连续漏极电流 | 34 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHB32N06LT,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHB32N06LT,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 97 W |
| Pd-功率耗散 | 97 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 37 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 37 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5941-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 97W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 34A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 PHB32N06LT |