Datasheet下载- 型号： 2SK1341-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK1341-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK1341-E价格参考。RENESAS ELECTRONICS2SK1341-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK1341-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK1341-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的2SK1341-E是一款N沟道MOSFET，属于单功率晶体管，广泛应用于需要高效率开关和信号放大的电子电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性，适合在高频和中等功率环境下工作。 典型应用场景包括：电源管理电路，如DC-DC转换器和电压调节模块，用于提升能源利用效率；消费类电子产品中的开关电路，如电视机、音响设备和电源适配器；工业控制设备中的电机驱动和继电器驱动电路；以及照明系统中的LED驱动电源。此外，2SK1341-E也常用于逆变器和小型电源变换装置中，发挥其高效能开关特性。 由于其封装紧凑、可靠性高，该MOSFET适用于空间受限但对性能要求较高的设计。总体而言，2SK1341-E适用于各类中低功率开关应用，尤其适合追求高效率与稳定性的电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK1341-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 980pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 3A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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