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产品简介:
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CSD25211W1015 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的增强型 N 沟道硅基氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (eGaN FET),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该器件结合了高效率和快速开关特性,适用于多种高性能电源转换和管理场景。以下是其主要应用场景: 1. DC-DC 转换器 - CSD25211W1015 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关速度使其非常适合用于高效 DC-DC 转换器中,尤其是在高频操作下。 - 应用于服务器、电信设备和工业电源中的同步整流和功率因数校正 (PFC) 电路。 2. 开关电源 (SMPS) - 在开关电源中,该器件可以显著提高效率并减小系统尺寸。 - 适用于笔记本电脑适配器、USB-PD 充电器和其他消费类电子产品的电源设计。 3. 电机驱动 - 用于小型高效电机驱动器,例如无人机、电动工具和家用电器中的无刷直流电机 (BLDC) 驱动。 - 提供快速动态响应和低功耗性能。 4. 太阳能逆变器 - 在光伏太阳能逆变器中,CSD25211W1015 可以实现更高的功率密度和效率,减少能量损耗。 - 支持微型逆变器和组串式逆变器的设计。 5. 电池管理系统 (BMS) - 用于电动汽车 (EV) 和储能系统的电池保护和充放电控制。 - 提供快速的过流保护和低损耗的开关性能。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中,该器件能够提供高保真度和低失真的音频输出。 - 适合家庭影院系统和专业音响设备。 7. 汽车电子 - 应用于车载充电器 (OBC)、LED 照明驱动和高级驾驶辅助系统 (ADAS) 中的电源管理模块。 - 满足汽车级应用对可靠性和效率的严格要求。 总结 CSD25211W1015 的优势在于其高开关频率、低导通电阻和出色的热性能,使其成为现代高效电源解决方案的理想选择。无论是在消费类电子产品、工业设备还是汽车领域,该器件都能提供卓越的性能和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Texas Instruments |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CSD25211W1015 |
PCN封装 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | NexFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 570pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.1nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 33 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-DSBGA(1x1.5) |
其它名称 | 296-36578-6 |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UFBGA,DSBGA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.2A(Ta) |