Datasheet下载- 型号： IPD50R399CP
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R399CP由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50R399CP价格参考。InfineonIPD50R399CP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD50R399CP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50R399CP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
英飞凌（Infineon Technologies）型号为IPD50R399CP的MOSFET，属于高压功率MOSFET，具有低导通电阻和高性能的特点。该器件主要应用于需要高效能功率转换的场景，例如： 1. 电源供应器：广泛用于开关电源（SMPS）中，实现高效的电能转换，适用于工业电源、服务器电源及通信设备电源模块。 2. 电机驱动：适用于直流电机或步进电机的驱动电路，提供稳定且高效的功率输出，常见于工业自动化设备和机器人控制系统。 3. 照明系统：用于LED照明驱动电源中，支持高效率和高稳定性的电源转换，适用于商业照明和高亮度LED应用。 4. 消费电子产品：如高功率适配器、充电器和家用电器中的功率控制模块。 5. 新能源领域：包括太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块，支持清洁能源的高效利用。 该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性，适合高频率开关应用，有助于减少能量损耗并提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 9A TO-252MOSFET COOL MOS PWR TRANS 550V 0.399 Ohms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50R399CPCoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD50R399CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d9e0348af |
| 产品型号 | IPD50R399CP |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 399 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 399 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 330µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 890pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 399 毫欧 @ 4.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | SP000234984 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 83W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 550V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
| 系列 | IPD50R399 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPD50R399CPBTMA1 SP000307379 |
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