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  • 型号: FQPF2N90
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF2N90由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF2N90价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF2N90封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF2N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF2N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF2N90 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,常用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等,因其具备较低导通电阻和高开关速度,有助于提高电源效率。

2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机控制及电动工具中,作为高效开关元件使用,能承受较高电流和电压应力。

3. 照明系统:用于LED照明驱动电路或HID灯镇流器中,实现高效能、高可靠性的电流控制。

4. 汽车电子:如车载电源系统、继电器替代方案、车灯控制等,得益于其高耐用性和稳定性。

5. 工业自动化:用于工业控制设备中的负载开关、逆变器和变频器等,满足工业环境对可靠性和效率的严苛要求。

该器件采用TO-220封装,易于散热和安装,适合通孔焊接,广泛应用于各类中高功率电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQPF2N90

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.2 欧姆 @ 700mA,10V

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

35W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.4A (Tc)

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