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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STD2LN60K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD2LN60K3价格参考。STMicroelectronicsSTD2LN60K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD2LN60K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD2LN60K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD2LN60K3是一款N沟道MOSFET晶体管,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):STD2LN60K3具有低导通电阻和高耐压特性(600V),非常适合用于开关电源中的高频开关应用,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 2. 电机控制:该MOSFET可用于驱动小型电机或作为电机控制器的一部分,适用于家用电器、工业设备和汽车电子中的电机控制电路。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,STD2LN60K3可以作为功率开关元件,用于将直流电转换为交流电。 4. 负载开关:由于其低导通电阻特性,该器件适合用作高效负载开关,能够减少功率损耗并提高系统效率。 5. 过流保护和电子保险丝:STD2LN60K3可以用作过流保护装置,通过快速响应过载情况来保护电路免受损害。 6. 继电器替代:在需要频繁切换的应用中,该MOSFET可以用作固态继电器的替代品,提供更长的使用寿命和更高的可靠性。 7. 电池管理:在电池充电和放电管理电路中,STD2LN60K3可以用于控制电池的充放电路径,确保安全和高效的电池操作。 8. 照明控制:在LED照明和其他类型的电子照明应用中,该MOSFET可以用作调光控制或电源开关。 总之,STD2LN60K3因其高电压承受能力、低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 2A DPAKMOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD2LN60K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD2LN60K3 |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 8.5 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 235pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 欧姆 @ 1A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
| 其它名称 | 497-13390-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253214?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 23.5 ns |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.5 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Tc) |
| 系列 | STD2LN60K3 |
| 通道模式 | Enhancement |