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产品简介:
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Vishay Siliconix品牌的IRF620STRRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于开关电源中的功率开关角色,能够高效地进行高频开关操作,降低能量损耗。 2. 直流电机驱动:可用于控制小型直流电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻特性有助于减少电机运行时的发热和功耗。 3. 负载开关:在各种电子设备中用作负载开关,用于动态控制电路中不同部分的供电状态,从而实现节能或保护功能。 4. 电池管理系统(BMS):应用于便携式设备的电池保护电路中,起到过流保护、短路保护以及充放电控制的作用。 5. 逆变器与转换器:适合于小型逆变器和电压转换器设计,提供稳定的电流输出并支持快速响应。 6. LED驱动器:在高亮度LED照明应用中作为驱动元件,确保精确控制LED亮度的同时维持较高效率。 7. 音频放大器:可用于功率放大级以提高输出能力,同时保持良好的线性和低失真性能。 8. 信号处理电路:由于其优秀的开关特性和稳定性,在某些数字信号处理领域也可发挥作用。 总之,IRF620STRRPBF凭借其出色的电气参数和可靠性,广泛适用于需要高效功率切换及控制的各种工业、消费类电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF620STRRPBF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 3.1A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A (Tc) |