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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT44N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT44N50P价格参考。IXYSIXFT44N50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFT44N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT44N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT44N50P是一款高功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,具备高耐压(500V)和低导通电阻特性,提高转换效率。 2. 电机驱动系统:用于工业自动化设备、伺服电机或步进电机的驱动电路,提供快速开关响应和可靠负载控制。 3. 逆变器与变频器:在UPS不间断电源、太阳能逆变器及工业变频装置中,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 充电设备:适用于电池充电器、电动车充电模块等,支持高电流输出和稳定电压调节。 5. 工业控制与自动化:作为功率开关用于工业控制系统中,如PLC、继电器替代方案,提升系统响应速度与能耗表现。 6. 照明系统:应用于高强度放电灯(HID)、LED大功率照明等场合的电源调控。 该器件具备高可靠性和耐用性,适合高温和高负载环境下运行,是工业与能源管理领域的重要元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3MOSFET 500V 44A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT44N50PPolarHV™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFT44N50P |
| Pd-PowerDissipation | 650 W |
| Pd-功率耗散 | 650 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 650W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 44A (Tc) |
| 系列 | IXFT44N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |