Datasheet下载- 型号： FDD8782
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD8782由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD8782价格参考。Fairchild SemiconductorFDD8782封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD8782参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD8782 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDD8782是一款高性能N沟道增强型MOSFET，属于功率MOSFET类别，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和良好热性能的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少导通损耗，提高整体效率，特别适合中高功率密度设计。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具及家用电器的电机驱动电路中，FDD8782可用于H桥或半桥拓扑结构，提供快速开关响应和良好的电流承载能力。 3. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路中的充放电控制开关，具备过流和短路保护功能，确保系统安全可靠运行。 4. 照明应用：在LED驱动电源中作为主开关器件，支持高频率工作，有助于减小外围元件体积，提升系统效率。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统，如车身控制模块、车灯控制、风扇/泵类负载驱动等，满足AEC-Q101车规认证要求，具备良好的温度稳定性和可靠性。 6. 消费类电子产品：用于笔记本电脑、显示器、适配器等设备的电源管理单元，实现高效节能。 FDD8782采用TOLL或PowerDI等先进封装，具有优异的散热性能，适合自动化贴装，适用于对空间和能效有较高要求的现代电子设备。总体而言，该器件适用于各类中高功率开关应用，兼顾性能与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAKMOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 35 A |
| Id-连续漏极电流 | 35 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD8782PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD8782 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1220pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 35A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FDD8782DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | FDD8782 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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