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Datasheet下载- 型号： PHB33NQ20T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PHB33NQ20T,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB33NQ20T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB33NQ20T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB33NQ20T,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 32.7A（Tc） 230W（Tc） D2PAK。您可以下载PHB33NQ20T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB33NQ20T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB33NQ20T,118 是 NXP USA Inc.（现属恩智浦半导体）推出的 N 沟道增强型高压 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，典型参数：VDS = 200 V，ID（连续）= 33 A，RDS(on) ≈ 45 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通损耗与良好开关性能。 其主要应用场景包括： ✅ 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、AC-DC 适配器、服务器/通信设备的二次侧同步整流或主功率开关； ✅ 电机控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）驱动、步进电机驱动器中的H桥上/下臂开关； ✅ 照明电子：LED 驱动电源（尤其是高亮度 LED 恒流驱动的 PWM 开关级）； ✅ 家电与能源管理：变频空调压缩机驱动、电磁炉功率输出级、光伏微逆变器的 DC-DC 升压或旁路开关； ✅ 汽车电子（非AEC-Q认证版本需谨慎）：该型号为标准工业级（非车规），适用于车载充电器（OBC）辅助电源、车身控制模块（BCM）中非安全关键的负载开关等，但不推荐用于动力总成或ASIL-B/C要求场景。 注：PHB33NQ20T,118 具备雪崩耐量（RAS），适合感性负载切换；内置体二极管反向恢复特性较好，有助于降低开关噪声。设计时建议配合合适栅极驱动与散热措施（如加装散热片），以保障长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PHB33NQ20T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 77 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5942-2 |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32.7A （Tc） |
