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产品简介:
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IXYS品牌的IXFK100N25是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有较高的电流和电压承受能力。其主要参数包括:漏源电压(VDS)为250V,连续漏极电流(ID)可达100A,适用于高功率开关应用。 该器件广泛应用于以下场景: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化中的电机控制电路,提供高电流开关能力。 3. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及变频驱动系统中,实现直流到交流的高效转换。 4. 焊接设备:在电焊机中作为功率开关元件,提供稳定和高耐压性能。 5. 工业控制系统:用于高功率负载的开关控制,如加热元件、电磁阀等。 其高耐压、大电流特性使其在高功率、高温环境下仍能保持稳定工作,适合对可靠性要求较高的工业和电力电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFK100N25 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 300nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 27 毫欧 @ 50A,10V |
供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
功率-最大值 | 560W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装 | 25 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |