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  • 型号: IXFK100N25
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK100N25由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK100N25价格参考。IXYSIXFK100N25封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFK100N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK100N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFK100N25是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有较高的电流和电压承受能力。其主要参数包括:漏源电压(VDS)为250V,连续漏极电流(ID)可达100A,适用于高功率开关应用。

该器件广泛应用于以下场景:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能电能转换。
2. 电机驱动:适用于工业自动化中的电机控制电路,提供高电流开关能力。
3. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及变频驱动系统中,实现直流到交流的高效转换。
4. 焊接设备:在电焊机中作为功率开关元件,提供稳定和高耐压性能。
5. 工业控制系统:用于高功率负载的开关控制,如加热元件、电磁阀等。

其高耐压、大电流特性使其在高功率、高温环境下仍能保持稳定工作,适合对可靠性要求较高的工业和电力电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFK100N25

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

300nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

TO-264AA (IXFK)

功率-最大值

560W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-264-3,TO-264AA

标准包装

25

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100A (Tc)

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