Datasheet下载- 型号： IRL630PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL630PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL630PBF价格参考￥17.62-￥18.43。VishayIRL630PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRL630PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRL630PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRL630PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：IRL630PBF常用于开关电源、DC-DC转换器和电压调节模块中，作为功率开关器件，实现高效的电能转换和管理。 2. 电机驱动：该MOSFET适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，能够提供低导通电阻（Rds(on)）以减少功耗，并支持快速开关操作。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的应用中，如汽车电子、工业自动化设备等，IRL630PBF可以用来控制电流流动，确保系统稳定运行。 4. 电池保护：用于便携式设备中的电池管理系统，通过精确控制充放电过程来延长电池寿命并提高安全性。 5. 信号放大与处理：在一些低频信号放大电路中，也可以利用其优良的电气特性进行信号调理。 6. 逆变器及太阳能系统：在可再生能源领域，例如光伏逆变器中，这款MOSFET有助于将直流电转换为交流电输出给电网或负载使用。 7. 消费类电子产品：包括笔记本电脑适配器、智能手机快充头等产品内部都有可能用到类似规格的MOSFET以实现高性能表现。 总之，凭借其出色的性能参数（如较低的导通电阻、较高的电流承载能力和良好的热稳定性），IRL630PBF广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220ABMOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRL630PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRL630PBFIRL630PBF |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| Qg-GateCharge | 40 nC |
| Qg-栅极电荷 | 40 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2 V |
| 上升时间 | 57 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 5.4A，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRL630PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 74W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 4.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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