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  • 型号: FQA65N20
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FQA65N20产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA65N20由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA65N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQA65N20封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 65A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN。您可以下载FQA65N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA65N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 65A TO-3PMOSFET 200V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

65 A

Id-连续漏极电流

65 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA65N20QFET®

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产品型号

FQA65N20

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

310 W

Pd-功率耗散

310 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

32 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

32 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

640 ns

下降时间

275 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

200nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

32 毫欧 @ 32.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

其它名称

FQA65N20-ND
FQA65N20FS

典型关闭延迟时间

340 ns

功率-最大值

310W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

58 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

65A (Tc)

系列

FQA65N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQA65N20_NL

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