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Datasheet下载- 型号： 2SC5087R(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5087R(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5087R(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC5087R(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC5087R(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC5087R(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC5087R(TE85L,F)是东芝半导体与存储公司（Toshiba Semiconductor and Storage）生产的一款高频NPN型双极结型晶体管（BJT），属于射频晶体管类别。该器件专为高频、低噪声应用设计，广泛用于无线通信系统中的小信号放大和射频处理环节。 其典型应用场景包括： 1. 移动通信设备：如智能手机、平板电脑等中的射频前端模块，用于接收信号的低噪声放大，提升信号接收灵敏度。 2. 无线基础设施：在基站、中继站等设备中用于高频信号放大，支持稳定可靠的无线连接。 3. 无线局域网（WLAN）：适用于Wi-Fi 5/6等无线网络模块，在2.4GHz和5GHz频段实现高效信号放大。 4. 物联网（IoT）设备：用于蓝牙、ZigBee等短距离无线通信模块，提供低功耗、高增益的射频放大功能。 5. 射频识别（RFID）系统：作为读写器中的射频放大元件，提高识别距离与稳定性。 2SC5087R具备高截止频率（fT高达8GHz）、低噪声系数和优良的增益特性，采用小型表面贴装封装（如SOT-323），适合高密度贴装的现代电子设备。其高可靠性和稳定的温度特性也使其适用于工业级和消费级环境。 综上，2SC5087R(TE85L,F)主要应用于各类高频无线通信系统中的小信号放大，特别适合对尺寸、功耗和性能有较高要求的便携式和嵌入式设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 12V 1MHZ SMQ射频双极晶体管 RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1922489&lineid=83&subcategoryid=1936988&familyid=900135 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Toshiba 2SC5087R(TE85L,F)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SC5087R |
| 产品型号 | 2SC5087R(TE85L,F)2SC5087R(TE85L,F) |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 20mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SMQ |
| 其它名称 | 2SC5087R(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | Toshiba |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-61AA |
| 封装/箱体 | SMQ-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大工作频率 | 8 GHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 类型 | VHF UHF Low Noise Low Distortion Amplifier |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极连续电流 | 80 mA |
| 频率 | 8 GHz (Typ) |
| 频率-跃迁 | 8GHz |
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