Datasheet下载- 型号： BFU590GX
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU590GX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU590GX价格参考。NXP SemiconductorsBFU590GX封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFU590GX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU590GX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU590GX是由NXP USA Inc.生产的一款射频双极结型晶体管（BJT），主要用于高频、低噪声放大应用。该器件采用先进的SiGe:C（硅锗碳）技术制造，具有优异的高频性能和低噪声系数，适用于工作频率高达几GHz的射频电路。 典型应用场景包括：无线通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、移动通信基站、微波中继系统、卫星通信设备以及宽带无线接入系统（如WiMAX）。此外，BFU590GX也广泛用于雷达系统、测试与测量仪器以及各类高性能射频接收模块中。 其高增益、低功耗和出色的线性度特性，使其在需要高灵敏度和稳定信号放大的场合表现突出。器件采用SOT1158小型化封装，适合高密度PCB布局，便于在紧凑空间内实现高性能射频设计。 总之，BFU590GX是一款面向高性能射频前端设计的晶体管，特别适用于要求低噪声、高增益和良好高频响应的通信与射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 12V 200MA SOT223-4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFU590GX |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | * |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-11521-6 |
| 功率-最大值 | * |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | * |
| 增益 | * |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 晶体管类型 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | * |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | * |
| 频率-跃迁 | * |
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