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NE97833-T1B-A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE97833-T1B-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE97833-T1B-A价格参考。CELNE97833-T1B-A封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor PNP 12V 50mA 5.5GHz 200mW Surface Mount SOT-23。您可以下载NE97833-T1B-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE97833-T1B-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL的NE97833-T1B-A是一款双极结型晶体管(BJT),专为射频(RF)应用设计。该器件主要用于高频信号放大和开关电路中,常见于无线通信设备、射频发射模块以及各类射频测试仪器中。 该晶体管具备良好的高频特性,适合用于低噪声放大器(LNA)或驱动放大器的设计,在蓝牙、Wi-Fi、Zigbee等短距离无线通信系统中有广泛应用。此外,NE97833-T1B-A也可用于功率放大器前级,提供稳定的小信号增益。 由于其封装小巧、性能稳定,适用于高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子产品、物联网设备及射频识别(RFID)系统中。同时,该器件具有较好的线性度和可靠性,适合在需要较高频率响应和低功耗的场景中使用。 总之,NE97833-T1B-A主要面向高性能射频前端电路,满足现代无线通信系统对小型化、高效能和低成本的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PNP 1GHZ SOT-23 |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
品牌 | CEL |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NE97833-T1B-A |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 15mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23 |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
增益 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
晶体管类型 | PNP |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
频率-跃迁 | 5.5GHz |