Datasheet下载- 型号： BFP 650F E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP 650F E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP 650F E6327价格参考。InfineonBFP 650F E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP 650F E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP 650F E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BFP650F E6327 是一款高性能射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频、低噪声放大应用。其典型应用场景包括无线通信基础设施，如蜂窝基站的接收前端、微波中继系统和点对点通信设备。该器件具有优异的低噪声系数和高增益特性，适合在1 GHz至6 GHz频率范围内工作，因此广泛应用于GSM、WCDMA、LTE及5G通信系统的射频接收模块。 此外，BFP650F E6327也适用于宽带无线接入系统，如WiMAX和固定无线终端，以及雷达系统和工业射频测量设备。其高线性度和稳定性使其在需要高质量信号放大的场合表现出色。该晶体管采用SOT343封装，体积小巧，便于高密度PCB布局，适合空间受限的高频电路设计。 总之，BFP650F E6327主要面向高性能射频接收链路中的低噪声放大器（LNA）和增益级放大器，适用于现代通信系统中对灵敏度和信号完整性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp650f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30431441fb5d01149297e271101c |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFP 650F E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 80mA，3V |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 其它名称 | BFP650FE6327INDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 增益 | 11dB ~ 21.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 频率-跃迁 | 42GHz |
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