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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BFP 720FESD E6327
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP 720FESD E6327由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP 720FESD E6327价格参考。InfineonBFP 720FESD E6327封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFP 720FESD E6327参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP 720FESD E6327 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 BFP 720FESD E6327 是一款高频双极射频晶体管（RF BJT），主要应用于无线通信和射频前端模块中。其典型应用场景包括： 1. 无线基站与基础设施：用于蜂窝通信系统（如4G LTE、5G）中的射频功率放大器，支持高频率信号的放大处理。 2. 工业通信设备：适用于工业级无线传输设备，如点对点微波通信、WiMAX等系统中的射频信号增强。 3. 测试与测量仪器：作为射频测试设备中的关键元件，用于信号发生器或频谱分析仪中的放大模块。 4. 广播与电视发射设备：用于FM广播或数字电视发射系统中的射频功率放大环节。 该器件具备良好的高频性能和可靠性，内置ESD保护功能，适合在复杂电磁环境中稳定工作。其SMD封装（E6327）便于自动化生产，适用于高密度PCB布局设计。 综上，BFP 720FESD E6327广泛应用于高性能射频通信系统，尤其适合需要高频、高可靠性和紧凑设计的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP4 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp720fesd.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a304329a0f6ee0129d0399cc505a0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BFP 720FESD E6327 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 15mA，3V |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 其它名称 | BFP 720FESD E6327DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.5dB ~ 1.3dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| 增益 | 10dB ~ 29dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 4.7V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 45GHz |
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