Datasheet下载- 型号： MSC3930-BT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MSC3930-BT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSC3930-BT1价格参考。ON SemiconductorMSC3930-BT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MSC3930-BT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MSC3930-BT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的MSC3930-BT1是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频模拟信号放大场景。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统，常见于蜂窝基站、无线基础设施、微波中继系统和射频功率放大模块等应用。 MSC3930-BT1具备优良的增益性能和线性度，适合在高频率下实现低噪声与高效功率放大，广泛用于GSM、CDMA、W-CDMA及LTE等移动通信频段。其高可靠性和稳定性使其在严苛环境下的工业与通信设备中表现优异。 此外，该型号常用于驱动级放大器或作为前级放大管，在多级放大架构中提升整体系统性能。因其采用SOT-457封装，体积小，适合高密度电路板设计，适用于对空间要求严格的射频模块。 综上，MSC3930-BT1主要应用于各类射频功率放大电路，尤其适合需要高线性度与稳定增益的通信基础设施设备，是现代无线通信系统中关键的射频组件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MSC3930-BT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 70 @ 1mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 30mA |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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