Datasheet下载- 型号： BFG591,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG591,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG591,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG591,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFG591,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG591,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG591,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗碳（SiGe:C）技术的 NPN 型晶体管。该器件专为高频、低噪声应用设计，广泛应用于无线通信系统中的射频放大电路。 其主要应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于蜂窝基站的低噪声放大器（LNA）和增益模块，支持 GSM、UMTS、LTE 等通信标准，具备良好的线性度和增益性能。 2. 微波与射频前端模块：适用于 1 GHz 以下至数 GHz 频段的信号放大，适合在接收链路中提升弱信号的信噪比。 3. 宽带通信系统：因具有宽频带响应和低噪声系数（典型值约 0.8 dB @ 2 GHz），可用于点对点无线电、卫星通信和数据链路设备。 4. 工业与射频测试设备：作为关键放大元件用于信号发生器、频谱分析仪等精密仪器中，确保高保真信号处理。 BFG591,115 采用 SOT343 小型封装，便于高密度贴装，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其 SiGe:C 技术提升了击穿电压与可靠性，适合在要求严苛的工业环境运行。此外，该器件功耗较低，适合需要节能设计的远程或户外通信节点。 综上，BFG591,115 是一款适用于高性能射频接收和放大场景的通用型低噪声晶体管，特别适合现代通信系统中对灵敏度和稳定性有较高要求的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 15V 7GHZ SOT-223射频双极晶体管 NPN 15V 7GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG591,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG591,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 70mA，8V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-1985-1 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2000 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 7000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.2 A |
| 零件号别名 | BFG591 T/R |
| 频率 | 7000 MHz |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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