ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFT93,215
Datasheet下载- 型号： BFT93,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFT93,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFT93,215价格参考。NXP SemiconductorsBFT93,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor PNP 12V 35mA 5GHz 300mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)。您可以下载BFT93,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFT93,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFT93,215 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频放大和射频信号处理。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的应用，具有良好的增益特性和线性度，适合小信号放大场景。 典型应用场景包括： - 无线通信系统中的射频前端放大器，如基站、中继站和无线接入点； - 工业、科学和医疗（ISM）频段设备，例如无线数据传输模块、遥控系统和传感器网络； - 消费类无线设备，如对讲机、短距离无线电和无线麦克风系统； - 电视与广播接收设备中的高频信号放大电路。 BFT93,215 采用SOT-23小型封装，便于在高密度PCB布局中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑空间和较宽温度范围内工作。其低噪声特性也使其适用于对信号保真度要求较高的接收链路。 由于其优异的高频性能和稳定性，该晶体管广泛用于需要高效、低功耗射频放大的场合，尤其适合替代老旧设计中的通用射频BJT，在提升系统性能的同时保持设计简洁性。总体而言，BFT93,215 是中小功率射频模拟电路中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 12V 5GHZ SOT-23射频双极晶体管 PNP 12V 5GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFT93,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFT93,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 30mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-1993-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 2 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 2.4dB @ 500MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大工作频率 | 5 GHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.035 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 35mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 12 V |
| 集电极连续电流 | - 35 mA |
| 零件号别名 | BFT93 T/R |
| 频率 | 5 GHz |
| 频率-跃迁 | 5GHz |
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