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BFG21W,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG21W,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG21W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG21W,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 射频, RF Transistor NPN 4.5V 500mA 18GHz 600mW Surface Mount CMPAK-4。您可以下载BFG21W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFG21W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG21W,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极晶体管(RF BJT),属于高频小信号放大应用的NPN型晶体管。其主要应用场景包括: 1. 无线通信系统:广泛用于GSM、CDMA、LTE等移动通信基础设施中的低噪声放大器(LNA)和驱动放大器,适用于900MHz至2500MHz频段,适合基站、中继站等设备。 2. 射频识别(RFID):在UHF RFID读写器中作为前置放大或信号增强元件,提升读取灵敏度与通信距离。 3. 无线局域网(WLAN):应用于Wi-Fi 5/6设备中的射频前端模块,支持2.4GHz和5GHz频段的小信号放大。 4. 低噪声放大器(LNA):因具有较低的噪声系数(典型值约0.8dB @ 2GHz)和良好的增益特性(增益约18dB @ 2GHz),适合对信号灵敏度要求高的接收链路。 5. 工业与消费类射频设备:如无线传感器网络、远程监控设备、对讲机、小型化射频模块等,适用于需要高线性度和稳定射频性能的场景。 BFG21W,115采用SOT-343小型封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和可靠性,工作温度范围宽(-55°C 至 +150°C),适用于严苛环境下的工业级应用。其高性能与紧凑设计使其成为现代高频电子系统中理想的射频放大解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 15V .5A 18GHZ CMPAK-4射频双极晶体管 NPN 15V .5A 18GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG21W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG21W,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 200mA,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | CMPAK-4 |
| 其它名称 | 568-1974-2 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 功率耗散 | 600 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 1 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | - |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 18000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 4.5V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 4.5 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 零件号别名 | BFG21W T/R |
| 频率 | 18000 MHz |
| 频率-跃迁 | 18GHz |