Datasheet下载- 型号： BFU530R
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFU530R由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFU530R价格参考。NXP SemiconductorsBFU530R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BFU530R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFU530R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFU530R是NXP USA Inc.生产的一款射频双极结型晶体管（BJT），主要用于高频放大和射频信号处理。该器件适用于工作频率高达几GHz的无线通信系统，广泛应用于移动通信基础设施、基站功率放大器、射频模块以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备中。 其典型应用场景包括GSM、CDMA、WCDMA等蜂窝通信系统的前置放大器或驱动级放大器，具备良好的增益线性度与效率平衡，适合在900MHz至2100MHz频段内稳定工作。此外，BFU530R采用SOT457封装，体积小巧，便于高密度贴装，适用于对空间要求严格的射频电路设计。 该晶体管还具备较高的可靠性与温度稳定性，可在较宽的工作温度范围内保持性能一致，因此也适用于户外通信设备和恶劣环境下的射频单元。总体而言，BFU530R是一款高性能、低成本的射频BJT，适合中等功率放大需求的无线应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 12V 40MA SOT-143B |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BFU530R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | 568-11510-6 |
| 功率-最大值 | * |
| 包装 | * |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | * |
| 增益 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | * |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | * |
| 配用 | /product-detail/zh/OM7962/568-11525-ND/4895774 |
| 频率-跃迁 | * |
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