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  • 型号: NE85630-R25-A
  • 制造商: CEL
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NE85630-R25-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85630-R25-A价格参考。CELNE85630-R25-A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NE85630-R25-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE85630-R25-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CEL品牌的NE85630-R25-A是一款双极结型晶体管(BJT),专为射频(RF)应用设计。该器件主要应用于需要高频、低噪声放大的电路中,常见于以下几种场景:

1. 无线通信系统:适用于蜂窝基站、微波通信设备及无线局域网(WLAN)中的低噪声放大器(LNA),以提升接收信号的灵敏度。

2. 广播与电视设备:用于调频广播或电视接收前端,作为射频信号的初级放大,确保信号清晰稳定。

3. 测试与测量仪器:在频谱分析仪、信号发生器等设备中作为关键放大元件,要求具备良好的线性度和稳定性。

4. 航空航天与军事电子:用于雷达系统和卫星通信模块中,满足高可靠性与宽温度范围工作需求。

5. 工业控制系统:在一些需要远距离射频识别(RFID)或遥测数据传输的工业自动化系统中也有应用。

该晶体管具有低噪声系数、高增益和良好频率响应特性,适合工作在几百MHz至数GHz频段,是高性能射频前端设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-323

产品分类

RF 晶体管 (BJT)

品牌

CEL

数据手册

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产品图片

产品型号

NE85630-R25-A

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 7mA,3V

供应商器件封装

SOT-323

功率-最大值

150mW

包装

散装

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

6dB ~ 12dB

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-70,SOT-323

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

频率-跃迁

4.5GHz

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