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Datasheet下载- 型号： BFQ149,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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BFQ149,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFQ149,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFQ149,115价格参考。NXP SemiconductorsBFQ149,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor PNP 15V 100mA 5GHz 1W Surface Mount SOT-89-3。您可以下载BFQ149,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFQ149,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 BFQ149,115 是一款射频双极结型晶体管（RF BJT），适用于高频模拟信号放大应用。该器件主要用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的无线通信系统中，具备良好的增益和线性性能。 典型应用场景包括： 1. 移动通信基础设施：用于基站的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，支持GSM、UMTS等蜂窝网络频段。 2. 无线数据传输设备：如点对点微波通信、无线接入系统中的射频前端模块。 3. 广播与电视发射系统：作为VHF/UHF频段的小信号放大器使用。 4. 工业与消费类射频设备：例如无线传感器、远程控制装置和物联网（IoT）网关中的射频信号处理单元。 BFQ149,115 采用SOT-23封装，体积小，适合高密度贴装，便于集成于紧凑型射频电路板中。其稳定的温度特性和较高的可靠性，使其能在较宽环境条件下正常运行，广泛应用于需低功耗与高性能平衡的便携式或固定式射频设备中。 总之，BFQ149,115 是一款适用于中高频段射频放大任务的通用型晶体管，特别适合要求良好线性度和增益表现的无线通信系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 15V 100MA SOT89射频双极晶体管 PNP 15V 100mA 5GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFQ149,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFQ149,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 70mA，10V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 568-6197-1 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1000 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 3.3dB @ 500MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 5000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 零件号别名 | BFQ149 T/R |
| 频率 | 5000 MHz |
| 频率-跃迁 | 5GHz |
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