Datasheet下载- 型号： NE85633-R23-A
- 制造商： CEL
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE85633-R23-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE85633-R23-A价格参考。CELNE85633-R23-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE85633-R23-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE85633-R23-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE85633-R23-A 是由品牌 CEL 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），属于高性能硅锗（SiGe）NPN 晶体管。该器件专为高频、低噪声放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括： 1. 无线基础设施：用于蜂窝基站的低噪声放大器（LNA）、接收前端模块等，适用于 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等通信标准。 2. 微波与射频系统：在点对点微波通信、毫米波回传链路中作为高频放大元件，具备良好的增益和线性度。 3. 宽带通信设备：适用于工作频率高达数 GHz 的宽带放大电路，如 CATV（有线电视）系统和宽带接入设备。 4. 雷达与传感器系统：在短距离雷达、工业传感器及汽车辅助系统中，用于信号接收和弱信号放大。 5. 测试与测量仪器：在频谱分析仪、信号发生器等高精度设备中作为关键射频放大元件。 NE85633-R23-A 具备低噪声系数、高增益和优良的稳定性，适合在 1–6 GHz 频段内稳定工作。其采用小型表面贴装封装（如SOT-343），便于高密度PCB布局，适用于空间受限的高频电路设计。此外，该器件可靠性高，可在较宽温度范围内稳定运行，满足工业级应用需求。 综上，NE85633-R23-A 是现代高频电子系统中理想的低噪声放大解决方案，特别适用于对灵敏度和信号完整性要求较高的无线通信与射频前端设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF NPN 100MA 12V SOT-23 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE85633-R23-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 20mA，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB @ 1GHz |
| 增益 | 11.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 7GHz |
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