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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BFT92W,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFT92W,115价格参考。NXP SemiconductorsBFT92W,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BFT92W,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BFT92W,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFT92W,115 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频、低噪声的射频放大应用。该器件广泛应用于无线通信系统中,适用于工作频率高达几GHz的场合,如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信基础设施和终端设备。 典型应用场景包括蜂窝基站的低噪声放大器(LNA)、射频前端模块、小型化无线收发单元以及工业、科学和医疗(ISM)频段设备。由于其优异的增益特性、低噪声系数和良好的线性度,BFT92W,115 特别适合在接收链路中作为第一级放大器,以提升信号灵敏度和系统整体性能。 此外,该晶体管采用SOT-343封装,体积小巧,适合高密度贴装,广泛用于空间受限的便携式或紧凑型射频模块中。其稳定的工作特性和可靠性也使其适用于环境要求较高的工业与通信设备。 综上,BFT92W,115 主要应用于移动通信、无线基础设施、射频接收前端及各类高频低噪声放大场景,是高性能射频设计中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 35MA 15V 4GHZ SOT323射频双极晶体管 PNP 35MA 15V 4GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFT92W,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFT92W,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 15mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-1656-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 4000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.025 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 15V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 25mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.025 A |
| 零件号别名 | BFT92W T/R |
| 频率 | 4000 MHz |
| 频率-跃迁 | 4GHz |