Datasheet下载- 型号： SIHP22N60E-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP22N60E-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP22N60E-E3价格参考。VishaySIHP22N60E-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHP22N60E-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP22N60E-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHP22N60E-E3 是一款高性能的 N 通道功率 MOSFET，具有以下关键参数：耐压高达 600V，连续漏极电流为 2.2A（@25°C），导通电阻为 4.7Ω（最大值，@ VGS=10V）。基于这些特性，该型号适用于多种电力电子应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - 作为高频开关元件用于 DC-DC 转换器、反激式转换器或正激式转换器中。 - 在辅助电源电路中用作同步整流 MOSFET 或主开关 MOSFET。 2. 电机驱动 - 用于小功率直流电机驱动，例如家用电器中的风扇、泵等。 - 提供高效的开关控制以调节电机速度和方向。 3. 逆变器 - 在小型太阳能微逆变器或 UPS 系统中作为开关器件。 - 实现 AC-DC 或 DC-AC 转换功能。 4. 负载开关 - 用于保护电路，控制负载的开启与关闭。 - 在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、手机充电器等。 5. 电池管理 - 应用于电池保护电路，防止过充、过放及短路。 - 适合电动车、储能系统或其他需要高电压电池组的应用。 6. 固态继电器 - 替代传统机械继电器，提供更长寿命和更高可靠性。 - 用于工业控制、照明控制等领域。 7. PFC (功率因数校正) - 在低功率 PFC 电路中作为升压开关使用。 由于其高耐压特性和较低的导通电阻，SIHP22N60E-E3 特别适合需要高效率、高可靠性的应用场合。同时，其紧凑的封装形式也使其成为空间受限设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220ABMOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SiHP22N60E-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIHP22N60E-E3SiHP22N60E-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 227 W |
| Pd-功率耗散 | 227 W |
| Qg-GateCharge | 57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 57 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1920pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30391 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | SIHP22N60EE3 |
| 功率-最大值 | 227W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 6.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | E |
| 配置 | Single |
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