Datasheet下载- 型号： IXTQ100N25P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTQ100N25P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTQ100N25P价格参考。IXYSIXTQ100N25P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTQ100N25P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTQ100N25P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTQ100N25P是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压、大电流特性，适用于多种高功率和高频率的电力电子应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，适用于高效能电源系统的设计。 2. 电机驱动：用于直流电机、步进电机或伺服电机的控制电路中，适用于工业自动化设备、机器人系统等场合。 3. 逆变器系统：如光伏逆变器、UPS不间断电源、变频器等，IXTQ100N25P的高开关速度和低导通电阻有助于提高逆变效率。 4. 电池管理系统：用于高功率电池充放电控制电路中，如电动汽车、储能系统中的功率开关。 5. 工业控制与自动化：在PLC、工业电源、负载开关等设备中作为高速开关元件使用。 6. 照明系统：如LED路灯、工业照明等高功率照明设备中的调光与电源控制。 该MOSFET具有250V耐压、100A连续漏极电流能力，适合在较高功率密度和效率要求较高的设计中使用，广泛应用于工业、通信、新能源和消费类电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-3PMOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTQ100N25PPolarHT™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTQ100N25P |
| Pd-PowerDissipation | 600 W |
| Pd-功率耗散 | 600 W |
| Qg-GateCharge | 185 nC |
| Qg-栅极电荷 | 185 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 26 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 185nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 600W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 5.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarHT |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 27 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 系列 | IXTQ100N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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