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  • 型号: NDC631N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDC631N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDC631N价格参考。Fairchild SemiconductorNDC631N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDC631N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDC631N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的NDC631N是一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。

主要应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等,用于高效能的功率开关。
2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机控制等应用中,作为高速开关元件。
3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,例如LED照明、加热元件等。
4. 逆变器与变频器:在小型逆变器、UPS系统中实现电能转换。
5. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境。
6. 工业自动化:用于PLC、工业电源及自动化设备中的功率控制部分。

该MOSFET采用DPAK封装,便于散热,适合表面贴装工艺,广泛应用于中功率电子设备的设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NDC631N

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

365pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 4.1A,4.5V

供应商器件封装

6-SSOT

功率-最大值

800mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.1A (Ta)

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