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Datasheet下载- 型号： STF4N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
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STF4N62K3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF4N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF4N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTF4N62K3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 620V 3.8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF4N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF4N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STF4N62K3是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通特性，适用于多种功率电子系统。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于实现高效的能量转换。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中，作为电机控制开关使用。 3. 照明系统：用于LED照明或高强度放电灯（HID）的驱动电路中，实现调光和开关控制。 4. 电池管理系统：在电动交通工具（如电动车、电动自行车）和储能系统中，用于电池充放电控制。 5. 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代方案中，提供高速开关功能。 6. 消费类电子产品：如智能家电、变频空调等，用于提高能效和系统稳定性。 该MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在中高功率应用中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220FPMOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF4N62K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF4N62K3 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-12580-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250643?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 29 ns |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 620 V |
| 漏极连续电流 | 3.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
| 系列 | STF4N62K3 |
| 配置 | Single |
