ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 > FGH40T100SMD
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FGH40T100SMD产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGH40T100SMD由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGH40T100SMD价格参考。Fairchild SemiconductorFGH40T100SMD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3。您可以下载FGH40T100SMD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGH40T100SMD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的FGH40T100SMD是一款MOSFET晶体管,属于“晶体管 - UGBT,MOSFET - 单”类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - FGH40T100SMD适用于开关电源中的功率转换电路。其高电压耐受能力(100V)和低导通电阻特性使其适合用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场景。 - 在这些应用中,MOSFET作为高效的开关元件,控制电流的通断以实现电压调节。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关特性和低损耗性能能够有效驱动负载,同时减少发热。 - 应用于家用电器(如风扇、水泵)或工业自动化设备中的电机控制。 3. 电池管理 - 在电池管理系统(BMS)中,FGH40T100SMD可用作充电/放电路径的开关,确保电池的安全充放电。 - 其低导通电阻(Rds(on))有助于降低功耗,提高效率。 4. 负载切换 - 该器件适合用于负载切换电路,例如汽车电子系统中的继电器替代方案。通过MOSFET的快速响应和低损耗特性,可以实现对负载的精确控制。 - 常见于LED照明、仪表盘控制等场景。 5. 信号放大与缓冲 - 在一些低功率信号处理电路中,FGH40T100SMD可以用作信号放大或缓冲元件,提供更高的输出驱动能力。 6. 保护电路 - 该MOSFET可用于过流保护、短路保护等电路设计中。通过检测异常电流并迅速切断电路,保护系统免受损害。 特性总结: - 额定电压:100V - 额定电流:40A(瞬态) - 低导通电阻:有助于减少功耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频应用。 总之,FGH40T100SMD广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域,特别适合需要高效功率转换和控制的应用场景。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 29ns/285ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 1000V 80A 333W TO247-3IGBT 晶体管 1000V 40A Field Stop Trench IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 265nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGH40T100SMD- |
数据手册 | |
产品型号 | FGH40T100SMD |
PCN封装 | |
SwitchingEnergy | 2.35mJ (开), 1.15mJ (关) |
TestCondition | 600V, 40A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V,40A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
功率-最大值 | 333W |
功率耗散 | 333 W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
反向恢复时间(trr) | 78ns |
商标 | Fairchild Semiconductor |
在25C的连续集电极电流 | 80 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 30 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 500 nA |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1000V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
系列 | FGH40T100SMD |
输入类型 | 标准 |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1000 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |