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产品简介:
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FGA70N30TDTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有高耐压、大电流特性。该器件常用于高效率电源转换系统中,适用于多种电力电子应用场合。 其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):如AC/DC适配器、服务器电源、工业电源等,利用其高开关速度和低导通电阻提高能效。 2. DC-DC转换器:用于电信设备、计算机主板及显卡的供电模块中,实现高效稳定的电压调节。 3. 电机驱动与控制:在变频器、伺服电机或步进电机驱动电路中作为功率开关元件,支持快速响应与精确控制。 4. 照明系统:如LED驱动电源,满足高亮度LED对恒流与调光的需求。 5. 逆变器与不间断电源(UPS):用于将直流电转换为交流电的系统中,提供稳定输出与高效能量转换。 6. 电池管理系统(BMS):在新能源汽车或储能系统中,用于充放电控制与保护电路。 该MOSFET具备优良的热性能和可靠性,适合在高温环境下运行,广泛应用于工业、通信、消费电子及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | - |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 300V 201W TO3P |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 125nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FGA70N30TDTU |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | - |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.5V @ 15V,20A |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 201W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 21ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
电压-集射极击穿(最大值) | 300V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
输入类型 | 标准 |