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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRFR4105ZTR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105ZTR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105ZTR价格参考。International RectifierIRFR4105ZTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR4105ZTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4105ZTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR4105ZTR的是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效开关性能的电路设计中。 IRFR4105ZTR的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关、负载开关等电源管理系统，提供高效、低损耗的功率控制。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如直流电机、步进电机的驱动电路，能够承受较高的开关频率和电流。 3. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中，用于电池充放电管理和电源切换。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制、继电器替代等场景，满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 5. 工业控制：在工业自动化设备中，用于控制继电器、电磁阀、传感器等负载的开关操作。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高频率响应和良好的热稳定性，适合高频开关应用，同时采用节省空间的封装形式，适用于高密度PCB布局设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR4105ZTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24.5 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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