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产品简介:
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IXYS品牌的IXTA130N10T是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管封装类型。该器件具有高电流、低导通电阻和良好的热稳定性,适用于高效率、高功率密度的电力电子系统。 应用场景主要包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能的电能转换。 2. 电机驱动系统:在直流电机、无刷电机驱动器中作为功率开关,提供快速开关响应和低损耗。 3. 工业自动化设备:用于工业控制系统的电源模块、继电器替代开关等场合。 4. 电池管理系统:应用于电动工具、电动车、储能系统中的充放电控制电路。 5. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中用于电能逆变与调节。 6. LED照明驱动:用于高功率LED照明系统的恒流驱动电路。 该MOSFET具有较高的耐用性和稳定性,适合需要高效率、高可靠性的工业和消费类应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTA130N10T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMV™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 104nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.1 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 (IXTA) |
| 其它名称 | Q3262430 |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130A (Tc) |