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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8805EDB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8805EDB-T2-E1价格参考。VishaySI8805EDB-T2-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8805EDB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8805EDB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI8805EDB-T2-E1是一款增强型N沟道MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,提供高效的功率转换。 - 电压调节模块(VRM):在计算机、服务器和其他电子设备中,用于动态调节电压以满足负载需求。 - 电池管理系统(BMS):控制电池充放电过程中的电流流动,保护电池免受过充或过放。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:通过快速开关实现对电机速度和方向的精确控制。 - H桥电路:用于双向电机驱动,支持正转和反转操作。 3. 负载开关 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑等,用作负载开关以实现快速开启/关闭功能并减少功耗。 - USB接口保护:防止过流或短路损坏设备。 4. 信号切换 - 高速信号路径切换:利用其低导通电阻(Rds(on))特性,在音频、视频或其他模拟信号线路中进行切换。 - 数据通信电路:在需要隔离或切换信号的场合下使用。 5. 工业与汽车应用 - 逆变器:用于将直流电转换为交流电的逆变器电路。 - LED驱动器:调节电流以确保LED亮度一致且稳定。 - 汽车电子系统:如车窗升降、雨刷控制、座椅加热等功能模块中的开关元件。 特性优势: - 低导通电阻:降低功耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少能量损失。 - 小封装尺寸:便于集成到紧凑型设计中。 综上所述,SI8805EDB-T2-E1适用于各种需要高效、快速开关和低损耗的电力电子领域,特别适合消费电子、通信设备、工业自动化以及汽车电子等行业。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V MICROFOOTMOSFET 8V P-CH Micro Foot |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8805EDB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8805EDB-T2-E1SI8805EDB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 0.9 W |
| Pd-功率耗散 | 900 mW |
| Qg-GateCharge | 6.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 56 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 56 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 8 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 68 毫欧 @ 1.5A, 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-4 0.8x0.8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |
| 配置 | Single |