Datasheet下载- 型号： TK4A60DA(STA4,Q,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK4A60DA(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK4A60DA(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK4A60DA(STA4,Q,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK4A60DA(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK4A60DA(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage的晶体管型号TK4A60DA（STA4,Q,M）是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源：该MOSFET适用于开关电源中的功率转换部分，能够高效地控制电流的通断，提升电源效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，TK4A60DA可以用作开关器件，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 电池管理系统（BMS）：在电池保护和管理系统中，该MOSFET可以用于充放电控制、过流保护以及短路保护等功能，确保电池的安全运行。 4. LED驱动器：在高亮度LED照明应用中，此型号的MOSFET可用于调节LED电流，保证发光稳定性和延长LED寿命。 5. 消费电子设备：如笔记本电脑适配器、手机充电器等便携式电子产品的电源管理模块中，TK4A60DA可提供高效的电力传输和管理。 6. 工业自动化：在工业控制领域，例如PLC（可编程逻辑控制器）或传感器接口电路中，这款MOSFET可以作为信号放大或负载切换元件使用。 7. 汽车电子：虽然具体耐温范围需确认是否符合车规级要求，但在非核心区域（如车内灯光控制、娱乐系统供电）也可能有应用潜力。 综上所述，TK4A60DA凭借其优良的电气特性和可靠性，广泛应用于各种需要高效功率控制和快速响应的场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK4A60DA(STA4,Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK4A60DA(STA4QM) |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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