Datasheet下载- 型号： 2SK3796-3-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3796-3-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3796-3-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SK3796-3-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3796-3-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3796-3-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3796-3-TL-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于N沟道JFET器件。该型号采用SOT-457封装，具有小型化、高可靠性的特点，适用于空间受限的高性能模拟电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 低噪声放大电路：由于JFET具有较低的输入噪声和较高的输入阻抗，2SK3796-3-TL-E常用于前置放大器、音频放大器及传感器信号调理电路中，尤其适合微弱信号的放大处理。 2. 模拟开关与调制电路：凭借快速开关特性和良好的线性控制能力，该器件可用于模拟信号切换、电压控制电阻等应用，如通信设备中的信号路由与调制解调模块。 3. 高频与射频电路：在射频接收前端或小信号高频放大中，该JFET可作为低功耗、高稳定性的增益单元，适用于无线通信、广播接收等系统。 4. 电源管理与恒流源设计：利用其稳定的跨导特性，可构建精密恒流源，用于LED驱动、测试仪器或偏置电路中。 此外，该器件具备良好的温度稳定性和可靠性，适合工业控制、消费电子、医疗设备及便携式仪器等多种领域。其小型封装也便于在高密度PCB布局中使用，满足现代电子产品对微型化和高效能的需求。总体而言，2SK3796-3-TL-E是一款适用于精密模拟信号处理的通用型JFET，广泛应用于需要低噪声、高输入阻抗和稳定性能的电路场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CH 10MA 100MW SMCPJFET Junction FET 30V 10mA Nch SMCP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 mA |
| Id-连续漏极电流 | 10 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor 2SK3796-3-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3796-3-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 6 mA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 180mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 1.2mA @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4pF @ 10V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | SMCP |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | 200 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SMCP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3 mS to 6.5 mS |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 10mA |
| 漏极连续电流 | 10 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 漏源电压VDS | 30 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | 200 欧姆 |
| 系列 | 2SK3796 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 30 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.95 V |
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