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Datasheet下载- 型号： BLF278/01,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF278/01,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF278/01,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF278/01,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet 2 N 沟道（双）共源 50V 100mA 108MHz 22dB 300W CDFM4。您可以下载BLF278/01,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF278/01,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF278/01,112 是一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大场景。该器件适用于工业、科学和医疗（ISM）频段，典型工作频率范围为1.8–125 MHz，输出功率可达数百瓦，具备高效率和良好的热稳定性。 主要应用场景包括： 1. 射频能量应用：如感应加热、等离子体生成、介质加热等工业加热系统，利用其高功率输出和高效率实现能量精准控制； 2. 广播发射设备：用于AM广播发射机中的射频功率放大级，提供稳定可靠的信号放大能力； 3. 高功率放大器模块：在测试仪器、射频电源及特殊通信系统中作为核心放大元件； 4. 科研与医疗设备：如核磁共振（NMR）、质谱仪等需要稳定射频源的精密设备。 BLF278/01,112 采用坚固的封装设计，支持源极共源配置，具有良好的抗负载失配能力和可靠性，适合连续波（CW）和脉冲工作模式。其优异的热性能和耐用性使其在严苛工业环境中表现稳定，是高功率低频至中频射频放大的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR VHF PWR DMOS SOT262A1 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF278/01,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934031850112 |
| 功率-输出 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22dB |
| 封装/外壳 | SOT-262A1 |
| 晶体管类型 | 2 N-通道（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 108MHz |
| 额定电流 | 18A |
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