Datasheet下载- 型号： BLF6G20-110,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20-110,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20-110,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20-110,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G20-110,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20-110,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的BLF6G20-110,112是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件适用于广播、工业加热、医疗设备以及无线通信基础设施等场景。例如，在广播领域，它可用于FM和TV发射机的功率放大器；在工业应用中，可用于高频加热和等离子体生成设备；在通信系统中，适合用于基站和高功率放大器模块。该MOSFET具备高效率、高增益和良好的热稳定性，适用于连续波（CW）和脉冲工作模式，能够在高电压条件下稳定运行，适合对性能和可靠性要求较高的射频功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION FINAL SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G20-110,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8640 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 29A |
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