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型号： BLF7G15LS-300P,112
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G15LS-300P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G15LS-300P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G15LS-300P,112封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BLF7G15LS-300P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G15LS-300P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF7G15LS-300P,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频率、高功率的射频放大应用。该器件工作频率可达 1.5 GHz，输出功率高达 300 W（连续波），具有优异的增益和效率表现，适用于多种工业和通信场景。

典型应用场景包括：  
1. 广播发射系统：用于 FM 广播和数字音频广播（DAB）发射机中的射频功率放大级，提供稳定高效的信号输出。  
2. 工业加热与等离子发生：在射频感应加热、介质加热及等离子体生成设备中作为核心功率器件，实现高效能量转换。  
3. 医疗设备：应用于射频消融、理疗仪器等需要精确控制射频能量的医疗系统。  
4. 无线通信基础设施：支持陆地移动无线电（如公共安全通信、应急通信系统）和基站放大器，满足高可靠性要求。  
5. 雷达与电子战系统：在军用或航空领域中用于脉冲射频放大，具备良好的瞬态响应和热稳定性。

该器件采用先进的 LDMOS 技术，具备良好的热性能和耐用性，封装形式便于散热设计，适合长时间高负载运行。其高增益和低失真特性有助于简化外围电路设计，提升系统整体效率。  

总之，BLF7G15LS-300P,112 是一款适用于高功率射频放大需求的关键元件，广泛服务于通信、工业、广播和专业电子系统等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS LDMOS SOT539B
产品分类	RF FET
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BLF7G15LS-300P,112
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	CDFM4
其它名称	934064635112
功率-输出	85W
包装	管件
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	SOT539B
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	20
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	2.6A
频率	1.47GHz ~ 1.51GHz
额定电流	45A