Datasheet下载- 型号： IRFBG30
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBG30由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBG30价格参考。VishayIRFBG30封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBG30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBG30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBG30是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：IRFBG30适合用作开关电源中的主开关管或同步整流管，能够高效处理高频开关操作，降低能量损耗。 2. 直流电机驱动：该器件可用于驱动小型直流电机，提供高效的开关控制，适用于玩具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭负载的应用中，如汽车电子、消费电子等，IRFBG30可以实现快速、可靠的负载切换。 4. 电池管理：用于电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池的安全和稳定运行，常见于便携式电子设备。 5. 逆变器：在小型逆变器中，IRFBG30可用作开关元件，将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器或UPS系统。 6. LED驱动：在大功率LED照明应用中，该MOSFET可作为PWM调光电路的开关元件，实现高效的亮度调节。 7. 音频放大器：在D类音频放大器中，IRFBG30可以用作输出级开关，提供高效率和低失真的音频信号放大。 8. 工业控制：用于各种工业控制系统中的信号放大和功率传输，例如可编程逻辑控制器（PLC）或伺服驱动器。 IRFBG30的低导通电阻（典型值为0.034Ω）、高击穿电压（55V）和大电流能力（19A）使其非常适合上述应用场景，同时其紧凑的TO-220封装也便于散热设计和安装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220ABMOSFET 1000V Single N-Channel HEXFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBG30- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91124点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | IRFBG30IRFBG30 |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 980pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFBG30 |
| 典型关闭延迟时间 | 89 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 功率耗散 | 125 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 1 kV |
| 漏极连续电流 | 3.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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