Datasheet下载- 型号： FDD24AN06LA0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD24AN06LA0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD24AN06LA0价格参考。Fairchild SemiconductorFDD24AN06LA0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD24AN06LA0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD24AN06LA0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD24AN06LA0 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于功率 MOSFET 器件，常用于需要高效功率转换和控制的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高效的电能转换与调节。 2. 电机驱动：适用于电动工具、风扇、泵类等小型电机的驱动电路，提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关：在电池供电设备中作为高侧或低侧开关，用于控制负载的通断，实现节能与保护功能。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块（BCM）、LED照明驱动等，得益于其高可靠性和耐压能力。 5. 工业控制：用于PLC、继电器替代、工业电源模块等场景，提供稳定、高效的功率控制。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合高频开关应用，广泛用于对效率和散热有要求的电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 40A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD24AN06LA0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.1A （Ta）， 40A （Tc） |
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