Datasheet下载- 型号： ZXMN6A09GTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A09GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A09GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A09GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN6A09GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A09GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN6A09GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） ZXMN6A09GTA 的低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关应用。例如，在 DC-DC 转换器中作为同步整流器或主开关，能够提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过 PWM（脉宽调制）控制，可以实现对电机速度和方向的精准调节，常见于家用电器、玩具、自动化设备等领域。 3. 负载开关 在消费类电子设备中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，ZXMN6A09GTA 可用作负载开关以实现高效电源管理。它能够在系统待机时切断不必要的电流路径，从而减少静态功耗。 4. 电池保护与管理 由于其低导通电阻和较小的封装尺寸，该 MOSFET 常用于锂电池保护板中，以防止过充、过放或短路等情况发生。同时，在多节电池组中也可用作均衡电路的一部分。 5. 信号切换与隔离 在通信设备或工业控制系统中，ZXMN6A09GTA 可用于信号线路的切换与隔离，确保不同电压等级之间的安全交互。 6. LED 驱动 对于大功率 LED 照明应用，这款 MOSFET 可用于恒流源驱动电路中，提供稳定的工作电流，保证 LED 的亮度一致性及寿命。 7. 汽车电子 在车载电子系统中，如车窗升降控制器、雨刷马达驱动、座椅调节装置等，ZXMN6A09GTA 能够满足较高的可靠性要求，并适应较宽的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）。 总结来说，ZXMN6A09GTA 凭借其出色的电气性能和紧凑的设计，在消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等多个领域都有广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223MOSFET N-Ch 60V 7.5A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A09GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN6A09GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1407pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMN6A09GCT |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 25.3 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
(SN)(N).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
