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Datasheet下载- 型号： FQP27P06
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP27P06由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP27P06价格参考。Fairchild SemiconductorFQP27P06封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP27P06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP27P06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP27P06 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） FQP27P06 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断，从而实现电压转换和稳定输出。 2. 电机驱动 该器件常用于小型直流电机的驱动电路中，作为功率开关或 PWM 控制元件。其耐压能力（60V）和较大的连续漏极电流（27A）可以满足大多数低电压电机的应用需求。 3. 负载开关 在需要动态管理负载电流的系统中，例如电池供电设备或汽车电子，FQP27P06 可用作高效的负载开关，以减少功耗并保护电路。 4. 逆变器和 UPS 系统 FQP27P06 能够在逆变器和不间断电源（UPS）系统中充当功率级开关，提供可靠的电流处理能力和快速的开关速度。 5. LED 驱动 对于高亮度 LED 或 LED 灯条应用，这款 MOSFET 可以用作恒流源的一部分，通过精确控制电流来确保 LED 的亮度一致性和寿命。 6. 电池管理系统（BMS） 在电池管理系统中，FQP27P06 可用于充放电路径的控制，帮助实现过流保护、短路保护以及电池均衡等功能。 7. 音频放大器 在 D 类音频放大器中，该 MOSFET 可作为输出级开关，提供高效的功率传输和较低的失真。 8. 工业自动化与控制 它可用于工业自动化设备中的继电器替代方案，或者作为电磁阀、步进电机等执行器的驱动元件。 总结来说，FQP27P06 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域，尤其是在需要高效功率切换和低功耗设计的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 27A TO-220MOSFET 60V P-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP27P06QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQP27P06 |
| Pd-PowerDissipation | 120 W |
| Pd-功率耗散 | 120 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 185 ns |
| 下降时间 | 90 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 12.4 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
| 系列 | FQP27P06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQP27P06_NL |
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