Datasheet下载- 型号： IRFR9N20DTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9N20DTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9N20DTRLPBF价格参考。International RectifierIRFR9N20DTRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR9N20DTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9N20DTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR9N20DTRLPBF 是一款P沟道MOSFET，具有200V的漏源电压和较强的功率处理能力，适用于多种中高压开关应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和可靠性，且符合RoHS环保标准。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中，作为高边或低边开关，实现高效能电能转换。 2. 电机控制：适用于工业设备、家用电器中的直流电机驱动电路，提供稳定可靠的开关控制。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中用于功率切换，确保电力持续供应。 4. 电池管理系统：可用于电池反接保护、充放电控制等电路，提升系统安全性。 5. 照明控制：应用于LED驱动电源中，支持高频开关操作，提高能效。 6. 工业自动化与控制电路：作为固态继电器替代方案，用于电磁阀、继电器驱动等负载开关场合。 IRFR9N20DTRLPBF凭借其高耐压、低导通电阻和优异的雪崩能量耐受能力，在恶劣工作环境下仍保持稳定，适合对可靠性和效率要求较高的工业与消费类电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAKMOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR9N20DTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR9N20DTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 86 W |
| Pd-功率耗散 | 86 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 9.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 4.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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