ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN012-100YS,115
Datasheet下载- 型号： PSMN012-100YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PSMN012-100YS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN012-100YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN012-100YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN012-100YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 130W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN012-100YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN012-100YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN012-100YS,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.2 mΩ @ Vgs=10V，2.0 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID可达120A）及优异的热性能。其主要应用场景包括： • 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，降低导通损耗，提升能效。 • 电机驱动与负载开关：适用于BLDC电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动的高端/低端开关，支持快速开关（低Qg）与逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU GPIO）。 • 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低Rds(on)和强短路耐受能力，用于电池保护电路、热插拔（Hot-swap）及过流保护模块。 • LED照明驱动与固态继电器（SSR）：在高亮度LED恒流驱动及替代机械继电器的固态开关中，提供可靠、静音、长寿命控制。 该器件通过AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于严苛工况下的车载辅助系统（如车灯控制、车载充电模块）。其紧凑封装与高功率密度特性，特别适合空间受限且需高效散热的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 60A LFPAKMOSFET N-CHANNEL 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN012-100YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN012-100YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 64 nC |
| Qg-栅极电荷 | 64 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.6 V |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4978-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 52.5 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
