Datasheet下载- 型号： AUIRLR3915
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRLR3915由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRLR3915价格参考。International RectifierAUIRLR3915封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AUIRLR3915参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AUIRLR3915 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AUIRLR3915 是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景的详细说明： 1. 汽车电子 - 车载电源管理：AUIRLR3915 具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关频率的特点，适合用于汽车中的电源管理系统，例如 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）等。 - 启动电机控制：在汽车启动系统中，该 MOSFET 可用作功率开关，控制大电流负载。 - LED 照明驱动：适用于汽车 LED 灯光系统的驱动电路，提供高效且稳定的电流输出。 2. 工业应用 - 逆变器与变频器：在工业自动化领域，AUIRLR3915 可用于逆变器和变频器中，实现对电机速度的精确控制。 - 开关电源（SMPS）：作为开关元件，应用于各种工业级开关电源设计中，提供高效的电能转换。 - 继电器替代方案：在需要快速切换和低功耗的场景中，可以用 AUIRLR3915 替代传统机械继电器。 3. 消费类电子产品 - 家用电器：如空调、冰箱、洗衣机等家电产品中，AUIRLR3915 可用于压缩机或风扇电机的控制电路。 - 充电设备：在快充适配器或 USB-PD 充电器中，该 MOSFET 能够满足高效能和小体积的设计需求。 4. 通信设备 - 基站电源模块：在通信基站中，AUIRLR3915 可用于高效能的电源模块设计，确保稳定供电。 - 信号放大器：在射频前端电路中，可用作功率开关以优化能量分配。 5. 其他特殊用途 - 无人机与机器人：在小型无人机或机器人控制器中，该 MOSFET 提供轻量化和高性能的解决方案。 - 太阳能微逆变器：用于分布式光伏发电系统中的微型逆变器，提升能源利用效率。 综上所述，AUIRLR3915 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于汽车、工业、消费电子及通信等领域，特别是在需要高效功率转换和控制的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 61A DPAKMOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 61 A |
| Id-连续漏极电流 | 61 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRLR3915* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRLR3915 |
| Pd-PowerDissipation | 120 W |
| Pd-功率耗散 | 120 W |
| Qg-GateCharge | 61 nC |
| Qg-栅极电荷 | 61 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 3 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-PAK （TO-252AA） |
| 典型关闭延迟时间 | 83 ns |
| 功率-最大值 | 120W |
| 功率耗散 | 120 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 61 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 42 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 61 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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