Datasheet下载- 型号： STW18NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW18NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW18NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW18NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW18NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW18NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW18NM60ND是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件主要适用于工业自动化、电机控制、开关电源（SMPS）、逆变器以及电动车充电系统等领域。 其高耐压特性（600V）与良好的导通电阻表现使其成为交流-直流转换器中的理想选择，特别是在节能照明系统如LED路灯驱动电路里也有所应用。此外，在家用电器例如洗衣机或空调内部用于调控压缩机或者风扇速度时，这款MOSFET能够提供稳定的工作状态，并且具备一定的过热保护能力。 在设计上考虑到了电磁干扰(EMI)控制问题，因此适合用作高频切换元件，在DC-DC转换器及电池管理系统中也能见到它的身影。由于封装形式为TO-247，散热效果较好，可以在较高电流条件下长时间运行而不会导致性能明显下降。 总之，STW18NM60ND凭借其优异电气参数与稳定性，被大量部署于各类要求严苛的电子设备之中，以实现对电能的有效管理与利用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW18NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW18NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 290 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 290 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 15.5 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 6.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13887-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 系列 | STW18NM60ND |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
